开户送18元自助体验金|第二章-双极型逻辑集成电路pptppt

 新闻资讯     |      2019-12-30 20:00
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  bull有源泄放网络的电流泄放能力强电压电压传输特性的矩形性好(转换区陡峭)。实验一 程控交换原理实验系统及控制单元实验 一、 实验目的 1、熟悉该程控交换原理实验系统的电路组成与主要部件的作用。所以实际的欧姆接触是利用隧道效应制成的。集成电路原理与设计、LSTTL电路电路结构及特点:输入级D、D输入反向箝位二极管可有效地限制反向过冲控制振铃幅度。条件()一般也很容易达到。WMWS金属与p型半导体接触形成阻挡层。请按照平台侵权处理要求书面通知爱问!一方面SBD使VCES提高~V门坎电平VILmax降低了~V。bull采用介质隔离等平面工艺最大限度地减少了管芯面积。bull由于电路中所用的电阻阻值均较低且晶体管导通时处于线性放大区电流较大因此功耗大(一般几十mW)这也是ECL逻辑的致命缺点。即甲子、甲寅、甲辰、甲午、甲申、甲戌六个甲日,bull低能量离子注入形成基区采用浅结As扩散尽可能减小基区宽度。一般其阻值约为标准门的倍功耗也仅为标准门的。bullSBD导通时主要靠半导体多子金属是多子器件高频特性好。饱和型逻辑ICmdashmdash以关态对应截止态以开态对应饱和态而工作的双极型逻辑IC。(T管导通截止都比T延迟一段时间)bull电压传输特性的矩形性好即转换区陡峭。只有当T的基极电压VB=VIVBEVBCthVBEthVBEth即VI(VBCthVBEthVBEth)VBEV此时T、T导通V随VI上升迅速下降。集成电路原理与设计STTL电路的特点:优点:bull输入端SBD箝位保护由于导通电压低(V)在负向脉冲达到~V左右即导通保护抗干扰能力增强。

  稳态时T导通前T不通IE没有通路保证T和T都不通。是象征着生命起始的日子。()可采用外延层掺金工艺引入深能级杂质降低少子寿命从而降低。一般其阻值约为标准门的倍功耗也仅为标准门的。

  集成电路原理与设计、TTL电路的不足与改进措施由上面的分析可见:欲使电路速度tpd=(tpLHtpHL)下降即tpHL输出管驱动电流即IB饱和深度超量存贮电荷tpLHtpLH饱和深度IBtpHL采用有源泄放网络可以部分改善要解决这一矛盾须在保证较大的驱动电流条件下设法控制晶体管的BC结上的正向偏压加以箝位迫使晶体管不进入饱和深饱和区非饱和或抗饱和TTL电路。集成电路原理与设计二、集成npn管的无源寄生效应图标有寄生元件的集成npn管的剖面图寄生电阻resrcsrb寄生电容CD扩散电容CJ势垒电容(CBECBCCCS)集成电路原理与设计三、抑制无源寄生效应的措施图采用集电极接触孔磷穿透工艺的集成晶体管剖面图集成电路原理与设计图采用等平面工艺后的截面积比较(a)平面型(b)等平面型等平面工艺与介质隔离集成电路原理与设计U型槽隔离图采用U型槽隔离技术的晶体管结构集成电路原理与设计sectTTL电路的结构特点及工作原理标准TTL电路集成电路原理与设计、电路特点输入级采用多发射极管在电路截止瞬态T对T基极有很强的反抽作用上升时间r。转换区很陡。集成电路原理与设计典型的ECL门电路图典型的ECL门电路(a)ECL门电路的结构(b)逻辑图及逻辑表达式集成电路原理与设计此ECL或或非门电路工作原理与原理门基本相同。()还应注意npn管基区侧壁到P隔离环之间也会形成横向pnp管必须使npn管基区外侧和隔离框保持足够距离。从而提高了噪声容限。条件()能否满足则取决于npn管的工作状态。集成电路原理与设计特点:输出电平稳定逻辑摆幅大电路结构简单功耗较低使用方便由于少子在饱和区存在基区存贮效应使得开关速度下降集成电路原理与设计主要包括:电阻晶体管逻辑RTL二极管晶体管逻辑DTL、HTL晶体管晶体管逻辑TTL集成注入逻辑IL抗饱和逻辑:肖特基二极管箝位TTL(STTL)低功耗STTL(LSTTL)先进LSTTLSTTL(ALSTTLASTTL)发射极功能逻辑EFL集成电路原理与设计非饱和型逻辑ICmdashmdash关态对应于截止态而开态对应于线性放大区。集成电路原理与设计抗饱和TTL电路ndashSLSTTL、SBD(SchottkyBarrierDiode)和肖特基箝位晶体管集成电路原理与设计bullpn结导通时都是少子注入积累扩散形成电流是一种电荷存贮效应严重影响了pn结的高频特性。R、D、D组成SBD输入的DTL输入电路。另一方面T加SBD后VBC由V~V则输出低电平:VOL=VCErcsIC=(VBEVBC)rcsIC将提高~V由低电平噪容VNL=VILmaxVOLmax将有所降低。如需使用密码登录,由于输出低电平时T处于饱和态在向高电平转换时基区少子存贮电荷只有通过R泄放速度较慢影响上升时间。集成电路原理与设计a输入低电平VI=VOL=VVBB=VT截止T优先导通。但有几处需要注意:bull输入部分的RP称为下拉电阻由基区沟道电阻形成为输入管的反向漏电流提供通路并保证不用的输入端固定在ldquo零rdquo电平(VEE=V)因而克服了不用的输入端电位浮空造成的不良影响。则流经T的电流:而IC=IEmAVC=VCCICRC=V而VC=VCCICRC=V输出低电平VC=V输出高电平VC=V此时由VBC=()=V可知T处于线性放大区。此类电路低功耗主要是通过选取适当的电阻阻值来实现的。集成电路原理与设计第二章双极型逻辑集成电路sect双极型IC的寄生效应集成npn的结构与寄生效应sectTTL电路的结构特点及工作原理标准TTL电路抗饱和TTL电路ndashSLSTTLsectECL电路ECL的原理门电路典型的ECL门电路集成电路原理与设计本章重点、双极集成电路的寄生效应、TTL、SLSTTL、ASALSTTL、ECL电路的电路结构工作原理和特点的分析与比较。简介:本文档为《第二章-双极型逻辑集成电路.pptppt》,

  集成电路原理与设计缺点:bull电路抗干扰能力下降。可见这一过程既加速了T管的截止又加速了T的导通。由于天干地支这一历法与古人的生活息息相关,会说身怀六甲呢?原来这六甲来源“天干”,稳态时T导通前T不通IE没有通路保证T和T都不通。特点:速度快输入电流小SBD反向击穿电压在V以上可将不用的输入端直接与VCC相接。bullT加SBD箝位在反向工作时ldquo发射区rdquo注入效率可减小高电平输入电流。集成电路原理与设计npn管工作于截止区VBC(npn)VEB(pnp)VBE(npn)VCS(npn)VBC(pnp)pnp截止npn管工作于放大区VBE(npn)VBC(npn)VEB(pnp)VCS(npn)VBC(pnp)pnp截止集成电路原理与设计npn管工作于饱和区VBE(npn)VBC(npn)VEB(pnp)VCS(npn)VBC(pnp)pnp处于放大区npn管工作于反向工作区VBE(npn)VBC(npn)VEB(pnp)VCS(npn)VBC(pnp)pnp处于放大区集成电路原理与设计抑制寄生效应的措施:()在npn集电区下加设n埋层以增加寄生pnp管的基区宽度使少子在基区的复合电流增加降低基区电流放大系数同时埋层的n扩散区形成的自建减速场也有一定的降低的作用。集成电路原理与设计b输入高电平VI=VOH=VVT截止T优先导通则VC=VCCICRC=V而VC=VCCICRC=V输出低电平VC=V输出高电平VC=V可见欲使VC、VC输出低电平相同须保证:ICRC=ICRC对于T管而言此时VBC=()=BC结略显正偏可以认为T管处于线性放大区边缘未进入饱和区。其中:bullPtSi构成SBDbullTiWmdashmdash阻止Al与Si相互扩散bullTi()mdashmdash改善了金属对SiO的粘附性和抗腐蚀性。可适用于工程科技领域爱问共享资料电子/电路频道提供第二章-双极型逻辑集成电路.ppt.ppt文档免费下载,集成电路原理与设计sectECL电路ECL的原理门电路集成电路原理与设计、电路结构实际上是单端输入双端输出的差分放大器。bullECL电路采用负电源电压系统当电源干扰由发射极进入电路因是共模信号受到差分对抑制若采用正电源供电则干扰将通过集电极直接传出降低了噪声容限。但实际情况由于SiGeGaAs等常用半导体材料都有很高的表面态密度不管n型还是p型都形成阻挡层。集成电路原理与设计一般采用PtSiTiWAl多层金属薄膜系统。输出级采用图腾柱结构(推挽)TD和T交替工作功耗速度。保证了输出高电平的稳定。只有当T的基极电压VB=VIVBEVBCthVBEthVBEth即VI(VBCthVBEthVBEth)VBEV此时T、T导通V随VI上升迅速下降。T基极接Rb、Rc、T组成有源泄放网络。

  对半导体进行重掺杂势垒宽度很薄载流子可以通过隧穿效应贯穿势垒形成大的隧道电流当其超过热电子发射电流成为主导时接触电阻很小欧姆接触。集成电路原理与设计双极型逻辑IC的分类根据电路工作在输出特性曲线的不同区域可分为饱和型和非饱和型两大类。SBD与pn结二极管的比较集成电路原理与设计MS整流接触与欧姆接触的区别根据MS接触理论理想情况下WMWS金属与n型半导体接触形成阻挡层。bull对于相同的势垒高度SBD的JSD或JST要比pn结的反向饱和电流JS大得多即:对于相同的正向电流SBD的正向导通压降较低一般Si为VGe为V。bull电流开关部分的地VCC与射随器输出级的地VCC是分开的。为什么中国女子怀孕,注意:bullT基极接固定偏置V称为定偏晶体管。并被赋予了神秘的符号内容,登录成功,集成电路原理与设计驱动级(由T、R及有源泄放网络T、Rb、Rc组成)特点:bull电路瞬态特性好速度快。保证了输出高电平的稳定。2、体会程控交换原理实验系统进行电线、了解CPU中央集中控制处理器电路组成及工作过程。WMWS金属与n型半导体接触形成反阻挡层。bull电路瞬态特性好速度快。此类电路低功耗主要是通过选取适当的电阻阻值来实现的。双极型逻辑IC中广泛使用的有源器件是npn管二极管可利用不同的晶体管或单独的pn结制得设计时要考虑:芯片利用率、寄生效应寄生电阻resrcsrb寄生电容CD扩散电容CJ势垒电容(CBECBCCCS)对半导体进行重掺杂势垒宽度很薄载流子可以通过隧穿效应贯穿势垒形成大的隧道电流当其超过热电子发射电流成为主导时接触电阻很小欧姆接触。三、 实验仪器仪表 1、主机实验箱 一台 2、三用表 一台 3、电话单机数量累计超一个亿!转换区很陡。

  集成电路原理与设计注意:ECL原理门之间不能直接耦合连接因为VOH=V下一级VB=而VCVBC进入饱和区失去高速特性加射随器作输出级实现电平位移。请先进入【个人中心】-【账号管理】-【设置密码】完成设置*若权利人发现爱问平台上用户上传内容侵犯了其作品的信息网络传播权等合法权益时,很多人都会好奇,因为接VCC的射随器有大的电流起伏分开接可以防止这种起伏引起偏置网络和电流开关部分之间的串扰。而pn结二极管为V。因此成为了我们研究古人智慧及其生活方式的重要资料。集成电路原理与设计、ASALSTTL电路电路结构及特点:此类电路功耗速度特性得以改善的关键在于采用了先进的工艺技术。二、 预习要求 预习《程控交换原理》与《MCS-51单片计算机原理与应用》中的有关内容。特点:无少子存贮效应工作速度快电路结构复杂逻辑摆幅小功耗较大集成电路原理与设计主要包括发射极耦合逻辑ECL互补晶体管逻辑CTL非阈值逻辑NTL多元逻辑DYL集成电路原理与设计sect双极型IC的寄生效应集成npn的结构与寄生效应一、集成npn管的有源寄生效应图集成npn晶体管的结构特点和有源寄生效应双极型逻辑IC中广泛使用的有源器件是npn管二极管可利用不同的晶体管或单独的pn结制得设计时要考虑:芯片利用率、寄生效应集成电路原理与设计寄生pnp管处于放大区的三个条件:()EB结正偏(即npn管的BC结正偏)()BC结反偏(即npn管的CS结反偏)()具有一定的电流放大能力(一般pnp=~)其中条件()永远成立因为pn结隔离就是要求衬底P隔离环接到最低电位。bull限流电阻R取值较大()可减小瞬态大电流从而减小了瞬态电流(浪涌电流)所造成的内部噪声。输出级(T、T、T组成推挽输出)特点:bullR由接地改为接输出端既可减小R的电流和功耗由可使IR成为高电平输出电流的一部分增加了电流驱动能力另一方面在小电流输出时可将输出高电平拉至VOH=VCCVBE但不利的是对T的基极泄放能力下降。SBD的金属化系统集成电路原理与设计、STTL电路图STTL与非门电路电路构成:凡可能工作在饱和区或反向工作区的晶体管(即除T以外的所有管子)均加SBD箝位。输入端接反偏二极管可将输入负向电压箝位在V(二极管有寄生串联电阻)使电路抗负向脉冲干扰能力提高。主要是由于T双向输出T的导通和截止都比T延迟一段时间。集成电路原理与设计bullD、D可提高电路的上升速度。从而提高了噪声容限。T、T构成达林顿射随器T的BE结代替原来的电平位移二极管D。在输出从高电平向低电平转换的瞬态T基区贮存的电荷可通过D抽出当VC比V下降快时负载电容可通过D放电T电流T驱动电流导通延迟。WMWS金属与p型半导体接触形成反阻挡层。数万用户每天上传大量最新资料。